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IRFB3006PBF Canal N Orificio pasante 60V 195 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220AB
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1 4.00000 $4.00
10 3.57500 $35.75
100 2.93150 $293.15
500 2.37380 $1,186.90
1,000 2.00200 $2,002.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB3006PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB3006PBF

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Descripción MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 195 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 mOhm a 170 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 300nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8970pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
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22:22:01 11/20/2018