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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB260NPBF-ND
Cantidad disponible 712
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB260NPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 56 A (Tc) 380 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos IRFB260NPbF
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Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 56 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 34 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 220nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4220pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 380 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB260NPBF
SP001551726

11:59:46 7/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.43000 $3.43
10 3.09900 $30.99
100 2.49050 $249.05
500 1.93704 $968.52
1,000 1.60497 $1,604.97

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