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IRFB23N15DPBF Canal N Orificio pasante 150V 23 A (Tc) 3.8 W (Ta), 136 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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10 1.59800 $15.98
100 1.28400 $128.40
500 0.99870 $499.35
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB23N15DPBF-ND
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Número de pieza del fabricante

IRFB23N15DPBF

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Descripción MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 150V 23 A (Tc) 3.8 W (Ta), 136 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 14 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 136 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • Precio unitario $1.36000
  • IRF9540NPBF-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB23N15DPBF
SP001566508

05:45:22 12/16/2018