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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB23N15DPBF-ND
Cantidad disponible 1,007
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB23N15DPBF

Descripción MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 150V 23 A (Tc) 3.8 W (Ta), 136 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 14 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 136 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB23N15DPBF
SP001566508

10:41:19 6/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.85000 $1.85
10 1.67100 $16.71
100 1.34240 $134.24
500 1.04408 $522.04
1,000 0.86510 $865.10

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