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IRF9Z34NPBF Canal P Orificio pasante 55V 19 A (Tc) 68 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.08000 $1.08
50 0.87480 $43.74
100 0.77170 $77.17
500 0.60990 $304.95
1,000 0.49221 $492.21
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF9Z34NPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF9Z34NPBF

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Descripción MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 55V 19 A (Tc) 68 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 68 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF9Z34NPBF
SP001560182

12:04:56 11/20/2018