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IRF9Z24NPBF Canal P Orificio pasante 55V 12 A (Tc) 45 W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.55000 $1.55
10 1.37700 $13.77
100 1.08820 $108.82
500 0.84394 $421.97
1,000 0.66627 $666.27
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF9Z24NPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF9Z24NPBF

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Descripción MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 55V 12 A (Tc) 45 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 175 mOhm a 7.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF9Z24NPBF
SP001555934

17:19:09 12/15/2018