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IRF9952TRPBF MOSFET - Arreglos Canal N y P 30V 3.5 A, 2.3 A 2W Montaje en superficie 8-SO
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.75000 $0.75
10 0.66400 $6.64
25 0.62360 $15.59
100 0.45270 $45.27
500 0.37826 $189.13
1,000 0.32192 $321.92
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRF9952PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.30180
  • Digi-Reel®  : IRF9952PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,812 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRF9952TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRF9952PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF9952TRPBF
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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 30V 3.5 A, 2.3 A 2W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF9952PbF
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Hoja de datos de HTML IRF9952PbF
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.5 A, 2.3 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 100mOhm a 2.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 190pF a 15V
Potencia - Máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF9952PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRF9952TRPBF
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