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IRF9540NPBF Canal P Orificio pasante 100V 23 A (Tc) 140W (Tc) TO-220AB
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.11000 $1.11
10 0.99600 $9.96
25 0.94520 $23.63
100 0.70880 $70.88
250 0.70200 $175.50
500 0.60076 $300.38
1,000 0.48938 $489.38
2,500 0.48262 $1,206.56
5,000 0.43875 $2,193.75
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IRF9540NPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF9540NPBF
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Descripción MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 100V 23 A (Tc) 140W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF9540NPbF
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Embalaje de PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 117mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 97nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 140W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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