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IRF9389TRPBF MOSFET - Arreglos Canal N y P 30V 6.8 A, 4.6 A 2W Montaje en superficie 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.48000 $0.48
10 0.41200 $4.12
25 0.38440 $9.61
100 0.28550 $28.55
500 0.22290 $111.45
1,000 0.18117 $181.17
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRF9389TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 96,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.17019
  • Digi-Reel®  : IRF9389TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 96,735 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRF9389TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRF9389TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF9389TRPBF
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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 30V 6.8 A, 4.6 A 2W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF9389PbF
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Hoja de datos de HTML IRF9389PbF
Modelos de simulación IRF9389PBF Saber Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.8 A, 4.6 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 27mOhm a 6.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 398pF a 15V
Potencia - Máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF9389
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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