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IRF8313TRPBF Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 9.7 A 2 W Montaje en superficie 8-SO
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.83000 $0.83
10 0.73400 $7.34
100 0.57390 $57.39
500 0.43408 $217.04
1,000 0.35418 $354.18
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF8313TRPBFCT-ND
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Cantidad disponible 18,548
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF8313TRPBF

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 9.7 A 2 W Montaje en superficie 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.7 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15.5 mOhm a 9.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.35 V a 25 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760 pF a 15 V
Potencia máxima 2 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF8313PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF8313TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF8313TRPBFTR-ND
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08:08:08 12/16/2018