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IRF7832TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 20 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SO
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1 1.70000 $1.70
10 1.51100 $15.11
100 1.21090 $121.09
500 0.95698 $478.49
1,000 0.77230 $772.30
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7832PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7832TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 20 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.32 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 51nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4310pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 155 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7832TRPBF
IRF7832PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7832PBFTR-ND
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  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,865 - Inmediata
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  • Tubo ? : IRF7832PBF-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 1,202 - Inmediata
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14:15:52 12/9/2018