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IRF7815TRPBF Canal N Montaje en superficie 150V 5.1 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.50000 $1.50
10 1.33400 $13.34
100 1.06980 $106.98
500 0.84544 $422.72
1,000 0.68227 $682.27
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7815TRPBFCT-ND
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Cantidad disponible 15,685
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7815TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 5.1 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 43mOhm a 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1647pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF7815TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7815TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.62280
  • Digi-Reel® ? : IRF7815TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 15,685 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:58:09 4/18/2019