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IRF7509TRPBF Arreglo de MOSFET Canal N y P 30 V 2.7 A, 2 A 1.25 W Montaje en superficie Micro8™
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Cantidad
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1 0.79000 $0.79
10 0.69400 $6.94
100 0.53530 $53.53
500 0.39656 $198.28
1,000 0.31724 $317.24

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7509TRPBFCT-ND
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Número de pieza del fabricante

IRF7509TRPBF

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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 30 V 2.7 A, 2 A 1.25 W Montaje en superficie Micro8™

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.7 A, 2 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 1.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 210 pF a 25 V
Potencia máxima 1.25 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-TSSOP, 8-MSOP (ancho 0.118", 3.00 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor Micro8™
Número de pieza base IRF7509PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF7509TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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00:20:00 1/21/2019