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IRF7493TRPBF Canal N Montaje en superficie 80V 9.3 A (Tc) 2.5W (Tc) 8-SO
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10 1.41200 $14.12
100 1.11590 $111.59
500 0.86538 $432.69
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7493PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7493TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 9.3 A (Tc) 2.5W (Tc) 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15mOhm a 5.6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1510pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7493TRPBF
IRF7493PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7493PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,173 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

14:58:57 4/24/2019