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IRF7478TRPBF Canal N Montaje en superficie 60V 7 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.93000 $0.93
10 0.83600 $8.36
25 0.79320 $19.83
100 0.59480 $59.48
250 0.58916 $147.29
500 0.50418 $252.09
1,000 0.41071 $410.71
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRF7478PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.39325
  • Digi-Reel®  : IRF7478PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,446 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRF7478TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRF7478PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF7478TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 7 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF7478PbF
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Modelos de simulación IRF7478TRPBF Saber Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 26mOhm a 4.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1740pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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