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IRF7470TRPBF Canal N Montaje en superficie 40V 10 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.62000 $1.62
10 1.44100 $14.41
100 1.15440 $115.44
500 0.91238 $456.19
1,000 0.73629 $736.29
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7470PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7470TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 10 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.8 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3430pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7470TRPBF
IRF7470PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7470PBFTR-ND
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  • Cantidad disponible: 42,992 - Inmediata
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18:18:30 12/15/2018