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IRF7413TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 13 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
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1 1.07000 $1.07
10 0.95000 $9.50
100 0.76170 $76.17
500 0.60190 $300.95
1,000 0.48574 $485.74
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7413PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7413TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 13 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11mOhm a 7.3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 79nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7413TRPBF
IRF7413PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
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15:29:16 4/18/2019