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IRF7389TRPBF Arreglo de MOSFET Canal N y P 30 V 2.5 W Montaje en superficie 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.18000 $1.18
10 1.04300 $10.43
100 0.82440 $82.44
500 0.63936 $319.68
1,000 0.50475 $504.75

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7389PBFCT-ND
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Cantidad disponible 18,787
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7389TRPBF

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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 30 V 2.5 W Montaje en superficie 8-SO

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29 mOhm a 5.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650 pF a 25 V
Potencia máxima 2.5 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7389PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7389TRPBF
IRF7389PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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20:31:53 11/16/2018