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IRF7351TRPBF Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60V 8 A 2W Montaje en superficie 8-SO
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.83000 $1.83
10 1.62400 $16.24
100 1.28380 $128.38
500 0.99564 $497.82
1,000 0.78603 $786.03

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7351TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7351TRPBF

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Descripción MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60V 8 A 2W Montaje en superficie 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17.8mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1330pF a 30V
Potencia máxima 2W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7351PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF7351TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7351TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 16,000 - Inmediata
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  • Digi-Reel® ? : IRF7351TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18,895 - Inmediata
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23:33:37 4/22/2019