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IRF7343TRPBF Arreglo de MOSFET Canal N y P 55 V 4.7 A, 3.4 A 2 W Montaje en superficie 8-SO
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1 1.20000 $1.20
10 1.06500 $10.65
100 0.85370 $85.37
500 0.67470 $337.35
1,000 0.54449 $544.49
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7343PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7343TRPBF

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Descripción MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 55 V 4.7 A, 3.4 A 2 W Montaje en superficie 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.7 A, 3.4 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 4.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 740 pF a 25 V
Potencia máxima 2 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7343PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7343TRPBF
IRF7343PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7343PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 12,606 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1  Agotado ?
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11:57:34 11/12/2018