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IRF7342TRPBF Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 55 V 3.4 A 2 W Montaje en superficie 8-SO
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7342PBFCT-ND
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Cantidad disponible 15,335
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7342TRPBF

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Descripción MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 55 V 3.4 A 2 W Montaje en superficie 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.4 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 105 mOhm a 3.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 690 pF a 25 V
Potencia máxima 2 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7342PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7342TRPBF
IRF7342PBFCT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.31000 $1.31
10 1.15900 $11.59
100 0.91590 $91.59
500 0.71028 $355.14
1,000 0.56075 $560.75
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7342PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
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  • Digi-Reel® ? : IRF7342PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 15,446 - Inmediata
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  • Tubo ? : IRF7342PBF-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado ?
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11:15:24 9/24/2018