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IRF7341TRPBF Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 55 V 4.7 A 2 W Montaje en superficie 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.31000 $1.31
10 1.17300 $11.73
100 0.93990 $93.99
500 0.74280 $371.40
1,000 0.59945 $599.45
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7341PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7341TRPBF

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Descripción MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 55 V 4.7 A 2 W Montaje en superficie 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.7 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 4.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 740 pF a 25 V
Potencia máxima 2 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7341PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7341TRPBF
IRF7341PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7341PBFTR-ND
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00:02:11 10/19/2018