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IRF7307TRPBF MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 5.2 A, 4.3 A 2W Montaje en superficie 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
4,000 0.36585 $1,463.40
8,000 0.32927 $2,634.12
12,000 0.30488 $3,658.50
28,000 0.30000 $8,399.92
100,000 0.29268 $29,268.00
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Paquete alternativo
  • Cinta cortada (CT)  : IRF7307PBFCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,285 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.91000
  • Digi-Reel®  : IRF7307PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,285 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRF7307TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRF7307PBFTR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF7307TRPBF
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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 5.2 A, 4.3 A 2W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF7307PbF
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta y rollo (TR) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.2 A, 4.3 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 700mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 660pF a 15V
Potencia - Máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7307PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 4,000
Otros nombres IRF7307PBFTR
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