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IRF7304 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20V 4.3A 2W Montaje en superficie 8-SO
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Descripción MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20V 4.3A 2W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
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Producto destacado Data Processing Systems
Obsolescencia PCN/ EOL HiRel EOL 28/Jun/2015
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.3A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90mOhm a 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 700mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 610pF a 15V
Potencia máxima 2W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / No cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 95
Otros nombres *IRF7304
SP001571450