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IRF7301TRPBF Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 5.2 A 2 W Montaje en superficie 8-SO
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1 1.09000 $1.09
10 0.95200 $9.52
100 0.73420 $73.42
500 0.54384 $271.92
1,000 0.43507 $435.07

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7301PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7301TRPBF

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Descripción MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 5.2 A 2 W Montaje en superficie 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.2 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 2.6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 700 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 660 pF a 15 V
Potencia máxima 2 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7301PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7301TRPBF
IRF7301PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7301PBFTR-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 15,336 - Inmediata
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14:00:48 12/9/2018