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IRF7103TRPBF Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 50 V 3 A 2 W Montaje en superficie 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.00000 $1.00
10 0.88500 $8.85
100 0.69170 $69.17
500 0.52312 $261.56
1,000 0.42682 $426.82
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF7103PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF7103TRPBF

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Descripción MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 50 V 3 A 2 W Montaje en superficie 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 50 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 130 mOhm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290 pF a 25 V
Potencia máxima 2 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7103PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRF7103TRPBF
IRF7103PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF7103PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 76,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.37931
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 85,066 - Inmediata
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05:00:28 1/22/2019