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IRF640NLPBF Canal N Orificio pasante 200V 18 A (Tc) 150 W (Tc) TO-262
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Cantidad
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1 2.05000 $2.05
10 1.86400 $18.64
100 1.51910 $151.91
500 1.20556 $602.78
1,000 1.01745 $1,017.45
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF640NLPBF-ND
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Número de pieza del fabricante

IRF640NLPBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 18 A (Tc) 150 W (Tc) TO-262

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 67nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1160pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF640NLPBF
SP001563296

00:53:36 10/19/2018