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IRF6218STRLPBF Canal P Montaje en superficie 150V 27 A (Tc) 250W (Tc) D2PAK
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.53000 $2.53
10 2.26900 $22.69
25 2.14080 $53.52
100 1.66980 $166.98
250 1.62696 $406.74

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  • Cinta y rollo (TR)  : IRF6218STRLPBFTR-ND
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  • Digi-Reel®  : IRF6218STRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,739 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRF6218STRLPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRF6218STRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF6218STRLPBF
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Descripción MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 150V 27 A (Tc) 250W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF6218SPbF/LPbF
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Barcode Label Update 24/Feb/2017
Modelos de simulación IRF6218STRLPBF Saber Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2210pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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