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IRF6216TRPBF Canal P Montaje en superficie 150V 2.2 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SO
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.72000 $1.72
10 1.53000 $15.30
100 1.22580 $122.58
500 0.96872 $484.36
1,000 0.78178 $781.78
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF6216TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF6216TRPBF

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Descripción MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 150V 2.2 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SO

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 240 mOhm a 1.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1280pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF6216TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF6216TRPBFTR-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 21,337 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:30:21 11/15/2018