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IRF6215PBF Canal P Orificio pasante 150V 13 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220AB
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1 1.61000 $1.61
10 1.42500 $14.25
100 1.12650 $112.65
500 0.87362 $436.81
1,000 0.68970 $689.70

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF6215PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF6215PBF

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Descripción MOSFET P-CH 150V 13A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 150V 13 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 290 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 860pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF6215PBF
SP001559672

14:29:21 12/13/2018