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IRF540NPBF Canal N Orificio pasante 100V 33 A (Tc) 130W (Tc) TO-220AB
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.97000 $0.97
10 0.86700 $8.67
25 0.82280 $20.57
100 0.61700 $61.70
250 0.61112 $152.78
500 0.52296 $261.48
1,000 0.42601 $426.01
2,500 0.42014 $1,050.34
5,000 0.38194 $1,909.70
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IRF540NPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 33 A (Tc) 130W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 44mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 71nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1960pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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