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IRF540NLPBF Canal N Orificio pasante 100V 33 A (Tc) 130 W (Tc) TO-262
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1 1.65000 $1.65
10 1.46200 $14.62
100 1.15560 $115.56
500 0.89620 $448.10
1,000 0.70752 $707.52
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF540NLPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF540NLPBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 33 A (Tc) 130 W (Tc) TO-262

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 44 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 71nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1960pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF540NLPBF
SP001571292

15:17:08 1/20/2019