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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF540NLPBF-ND
Cantidad disponible 3,235
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF540NLPBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 33 A (Tc) 130 W (Tc) TO-262

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 44 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 71nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1960pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF540NLPBF
SP001571292

00:21:44 8/20/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.73000 $1.73
10 1.52900 $15.29
100 1.20810 $120.81
500 0.93692 $468.46
1,000 0.73968 $739.68

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