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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF5305PBF-ND
Cantidad disponible 2,475
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF5305PBF

Descripción MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 55V 31 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 31 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 16 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF5305PBF
94-4306PBF
94-4306PBF-ND
SP001564354

02:21:59 4/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.43000 $1.43
10 1.27000 $12.70
100 1.00390 $100.39
500 0.77852 $389.26
1,000 0.61462 $614.62

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