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IRF5210STRLPBF Canal P Montaje en superficie 100V 38 A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) D2PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF5210STRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF5210STRLPBF

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Descripción MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 38 A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) D2PAK

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 230nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2780pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF5210STRLPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 2,400 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,969 - Inmediata
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20:25:13 5/24/2019