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IRF5210LPBF Canal P Orificio pasante 100V 38 A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) TO-262
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1 2.48000 $2.48
10 2.22700 $22.27
25 2.10040 $52.51
100 1.63840 $163.84
500 1.38634 $693.17
1,000 1.17628 $1,176.28
2,500 1.15948 $2,898.69
5,000 1.07546 $5,377.28
9,000 1.03345 $9,301.01
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IRF5210LPBF

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Fabricante

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Descripción MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 100V 38 A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) TO-262

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF5210(S,L)PbF
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Hoja de datos de HTML IRF5210(S,L)PbF
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 38 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 60mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 230nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2780pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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