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IRF4905STRLPBF Canal P Montaje en superficie 55V 42 A (Tc) 170W (Tc) D2PAK
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10 1.82200 $18.22
25 1.71880 $42.97
100 1.34060 $134.06
250 1.30624 $326.56
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  • Digi-Reel®  : IRF4905STRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,407 - Inmediata
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  • Cinta y rollo (TR)  : IRF4905STRRPBF-ND
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  • Precio unitario: $1.13438

IRF4905STRLPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRF4905STRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF4905STRLPBF
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Descripción MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 55V 42 A (Tc) 170W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF4905(S,L)PbF
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Producto destacado Data Processing Systems
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Material Chg 24/Nov/2015
Ensamble/origen de PCN Mosfet D2Pak Assembly Site 9/Aug/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Modelos de simulación IRF4905SLPBF Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20mOhm a 42A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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