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IRF4905PBF Canal P Orificio pasante 55V 74 A (Tc) 200W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.81000 $1.81
10 1.62300 $16.23
25 1.53120 $38.28
100 1.19440 $119.44
250 1.16376 $290.94
500 1.01062 $505.31
1,000 0.85750 $857.50
2,500 0.84525 $2,113.13
5,000 0.78400 $3,920.00
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IRF4905PBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF4905PBF
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Descripción MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 55V 74 A (Tc) 200W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 74 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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