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IRF4905LPBF Canal P Orificio pasante 55V 42 A (Tc) 170 W (Tc) TO-262
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1 2.56000 $2.56
10 2.31000 $23.10
100 1.85630 $185.63
500 1.44376 $721.88
1,000 1.19625 $1,196.25
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF4905LPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF4905LPBF

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Descripción MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 55V 42 A (Tc) 170 W (Tc) TO-262

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 42 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres 64-2156PBF
64-2156PBF-ND
SP001563376

07:32:56 12/18/2018