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IRF3710ZPBF Canal N Orificio pasante 100V 59 A (Tc) 160 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.83000 $1.83
50 1.46300 $73.15
100 1.28010 $128.01
500 0.99276 $496.38
1,000 0.78375 $783.75

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF3710ZPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF3710ZPBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 59 A (Tc) 160 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 59 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 18 mOhm a 35 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 160 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF3710ZPBF
SP001564400

17:41:03 10/18/2018