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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF3710PBF-ND
Cantidad disponible 937
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF3710PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 57 A (Tc) 200 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 57 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3130pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23 mOhm a 28 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF3710PBF
SP001551058

07:00:51 4/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.71000 $1.71
10 1.51500 $15.15
100 1.19740 $119.74
500 0.92862 $464.31
1,000 0.73313 $733.13

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