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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF3205ZPBF-ND
Cantidad disponible 673
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF3205ZPBF

Descripción MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 55V 75 A (Tc) 170 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3450pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.5 mOhm a 66 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF3205ZPBF
64-0096PBF
64-0096PBF-ND
SP001574672

23:20:13 2/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.58000 $1.58
10 1.40400 $14.04
100 1.10930 $110.93
500 0.86024 $430.12
1,000 0.67914 $679.14

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