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IRF2907ZPBF Canal N Orificio pasante 75V 160 A (Tc) 300W (Tc) TO-220AB
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.65000 $2.65
10 2.38000 $23.80
25 2.25000 $56.25
100 1.80000 $180.00
250 1.70000 $425.00
500 1.60000 $800.00
1,000 1.37000 $1,370.00
2,500 1.35000 $3,375.00
5,000 1.23000 $6,150.00
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IRF2907ZPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF2907ZPBF
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Descripción MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 160 A (Tc) 300W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF2907Z (S,L) PbF
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 160 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 270nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar 50
Otros nombres *IRF2907ZPBF
SP001571154