Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF2807PBF-ND
Cantidad disponible 1,068
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF2807PBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 82 A (Tc) 230 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 82 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13 mOhm a 43 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3820pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF2807PBF
SP001550978

21:35:36 6/17/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.78000 $1.78
10 1.61000 $16.10
100 1.29380 $129.38
500 1.00626 $503.13
1,000 0.83375 $833.75

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario