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IRF2204PBF Canal N Orificio pasante 40V 210 A (Tc) 330 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.44000 $2.44
10 2.20000 $22.00
100 1.76810 $176.81
500 1.37522 $687.61
1,000 1.13947 $1,139.47

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF2204PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF2204PBF

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Descripción MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 210 A (Tc) 330 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 210 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.6 mOhm a 130 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5890pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF2204PBF
SP001576552

12:52:00 11/15/2018