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IRF1407STRLPBF Canal N Montaje en superficie 75V 100 A (Tc) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc) D2PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF1407STRLPBFCT-ND
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Número de pieza del fabricante

IRF1407STRLPBF

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Descripción MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 100 A (Tc) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc) D2PAK

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.8 mOhm a 78 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • 497-5558-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF1407STRLPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRF1407STRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.53758
  • Digi-Reel® ? : IRF1407STRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

00:28:50 11/21/2018