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IRF1407STRLPBF Canal N Montaje en superficie 75V 100 A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) D2PAK
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.35000 $2.35
10 2.11300 $21.13
25 1.99360 $49.84
100 1.55510 $155.51
250 1.51524 $378.81
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRF1407STRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 2,400 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.31588
  • Digi-Reel®  : IRF1407STRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,453 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRF1407STRLPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRF1407STRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF1407STRLPBF
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Descripción MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 100 A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF1407(S,L)PbF
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.8mOhm a 78A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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