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IRF1407PBF Canal N Orificio pasante 75V 130 A (Tc) 330 W (Tc) TO-220AB
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1 2.44000 $2.44
10 2.20200 $22.02
100 1.76960 $176.96
500 1.37638 $688.19
1,000 1.14043 $1,140.43
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF1407PBF-ND
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Cantidad disponible 1,373
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF1407PBF

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Descripción MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 130 A (Tc) 330 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.8 mOhm a 78 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF1407PBF
SP001564238

11:09:23 10/19/2018