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IRF1405PBF Canal N Orificio pasante 55V 169 A (Tc) 330W (Tc) TO-220AB
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.32000 $2.32
10 2.08700 $20.87
25 1.96880 $49.22
100 1.53560 $153.56
250 1.49624 $374.06
500 1.29938 $649.69
1,000 1.10250 $1,102.50
2,500 1.08675 $2,716.88
5,000 1.00800 $5,040.00
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IRF1405PBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 55V 169 A (Tc) 330W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF1405PbF
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Modelos de simulación IRF1405PBF Saber Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 169 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.3mOhm a 101A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 260nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5480pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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