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IRF1404LPBF Canal N Orificio pasante 40V 162 A (Tc) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc) TO-262
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1 2.92000 $2.92
10 2.65700 $26.57
100 2.16530 $216.53
500 1.71844 $859.22
1,000 1.45032 $1,450.32
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF1404LPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF1404LPBF

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Descripción MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 162 A (Tc) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc) TO-262

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 162 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 95 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7360pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF1404LPBF
SP001576598

08:38:02 10/20/2018