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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF1310NPBF-ND
Cantidad disponible 41
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF1310NPBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 42 A (Tc) 160 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 36 mOhm a 22 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 160 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF1310NPBF
SP001553864

23:37:50 6/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.86000 $1.86
10 1.68200 $16.82
100 1.35200 $135.20
500 1.05154 $525.77
1,000 0.87127 $871.27

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