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IRF100B202 Canal N Orificio pasante 100V 97 A (Tc) 221 W (Tc) TO-220AB
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10 1.67500 $16.75
100 1.32410 $132.41
500 1.02682 $513.41
1,000 0.81065 $810.65
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF100B202-ND
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Número de pieza del fabricante

IRF100B202

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Descripción MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 97 A (Tc) 221 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 97 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.6 mOhm a 58 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 116nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4476pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 221 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • Precio unitario $1.91000
  • IRFB4410ZPBF-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001561488

02:56:47 11/17/2018