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IRF100B201 Canal N Orificio pasante 100V 192 A (Tc) 441 W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.95000 $2.95
10 2.66100 $26.61
100 2.13840 $213.84
500 1.66320 $831.60
1,000 1.37808 $1,378.08

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF100B201-ND
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Número de pieza del fabricante

IRF100B201

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Descripción MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 192 A (Tc) 441 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF100(B,S)201
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación IRF100B201 Saber Model
IRF100B201 Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 192 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.2 mOhm a 115 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 255nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9500pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 441 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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